亚洲免费大片_国产韩日精品_国产亚洲欧美在线_国产精品亚洲四区在线观看 _麻豆久久婷婷_www在线播放_中文av一区二区_www 久久久_久久99国产视频_亚洲欧美在线专区

基本信息

產(chǎn)品名稱:六氟丁二烯

縮寫(xiě)：HFBD

別稱:六氟-1,3-丁二烯;全氟丁二烯;六氟-1,3-丁二烯/C4F6;六氟丁二烯,全氟丁二烯;六氟丁二烯

CAS:685-63-2

化學(xué)式:C4F6

Einecs:211-681-0

危險(xiǎn)編號(hào)：UN  3161

化學(xué)式：

簡(jiǎn)述（BRIEF DESCRIPTION）

六氟丁二烯又稱全氟丁二烯，最初合成出來(lái)是作為聚合物的單體，但是其聚合物的性能不佳，沒(méi)有得到進(jìn)一步的研究和應(yīng)用。近年對(duì)六氟丁二烯的應(yīng)用研究則主要集中在它作為電子蝕刻氣體上。

技術(shù)指標(biāo)(TECHNICAL INDICATORS)

用途（USE）

全氟丁二烯是一種無(wú)色、無(wú)味、無(wú)毒的氣體，它具有以下性質(zhì)：
1. 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定：全氟丁二烯具有極高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，不易與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。
2. 低表面張力：全氟丁二烯的表面張力極低，可在各種材料上形成薄膜，使其適用于涂層和防污染應(yīng)用。
3. 電機(jī)性能優(yōu)異：全氟丁二烯作為一種絕緣體，可用于電子領(lǐng)域的應(yīng)用，如電容器、絕緣膜等。
4. 熔點(diǎn)低：全氟丁二烯的熔點(diǎn)為-128℃，可用于制備低溫的工作液體。
全氟丁二烯的主要用途包括：
1. 涂層材料：由于其低表面張力和化學(xué)穩(wěn)定性，全氟丁二烯廣泛用于涂層材料，提供防水、耐腐蝕和耐化學(xué)品的性能。
2. 電子材料：全氟丁二烯可用于制備光電材料、電容器、潤(rùn)滑油等。
3. 藥物傳遞系統(tǒng)：全氟丁二烯可以作為藥物的載體，通過(guò)控制釋放速度來(lái)提高藥物的吸收效率。

貯存條件（STORAGE CONDITIONS）

1. 避免直接接觸：全氟丁二烯可能導(dǎo)致皮膚和眼睛的刺激，應(yīng)避免直接接觸。
2. 良好通風(fēng)：在使用全氟丁二烯時(shí)，應(yīng)確保通風(fēng)良好，避免吸入大量氣體。
3. 避免燃燒：全氟丁二烯是易燃?xì)怏w，避免與明火或高溫接觸。
4. 儲(chǔ)存注意：全氟丁二烯應(yīng)儲(chǔ)存在陰涼、干燥、通風(fēng)良好的地方

包裝（PACKAGE）

1. Packed in cylinder (1ton per cylinder).

2. Packed in ISOTANK.

化學(xué)性質(zhì)（CHEMICAL PROPERTIES）

六氟-1,3-丁二烯，代號(hào)C4F6,是一種新型的含氟綠色電子刻蝕氣，具有刻蝕速率快、高深寬比、高選擇性的優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)近乎垂直的刻蝕加工，為制造小體積、大容量的3D NAND閃存提供了可能;同時(shí)六氟丁二烯環(huán)境友好，GWP<<1,大氣壽命1.1天，是當(dāng)前兼具優(yōu)異刻蝕性能和環(huán)保性能的含氟電子刻蝕氣之一。

六氟丁二烯（C4F6）和八氟環(huán)戊烯（C5F8）作為新一代蝕刻氣體，被認(rèn)為具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，尤其是C4F6。
    C4F6用作半導(dǎo)體級(jí)含氟氣體的市場(chǎng)需求在增長(zhǎng)。它可取代CF4，用于KrF激光銳利蝕刻半導(dǎo)體電容器圖形（Patterns）的干法工藝。C4F6在0.13um技術(shù)層面有諸多蝕刻上的優(yōu)點(diǎn)。C4F6有比C4F8更高的對(duì)光阻和氮化硅選擇比，這是很重要的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)殡S著器件尺寸推進(jìn)到0.13um，孔的CD（關(guān)鍵尺寸）要比0.18um小30％左右，鍵膜層的選擇比要高，這樣才能擴(kuò)大蝕刻的窗口，提高蝕刻的穩(wěn)定性。蝕刻速率的提高可以減少蝕刻所用的時(shí)間，從而提高生產(chǎn)效率。蝕刻均勻度和CDbias(關(guān)鍵尺寸偏置)的提高會(huì)提高CD和器件穩(wěn)定可靠性，從而提高產(chǎn)品優(yōu)良率。
    另外，環(huán)境方面也是一個(gè)非常重要的因素。使用溫室效應(yīng)系數(shù)低的環(huán)保氣體蝕刻設(shè)備及工藝技術(shù)將受政策導(dǎo)向會(huì)迅速地相繼開(kāi)發(fā)出來(lái)。C4F6的GWP值幾乎為0，C4F6取代在氧化膜蝕刻工藝中使用的C4F8和C5F8，可降低溫室氣體的排放。半導(dǎo)體蝕刻專家提供蝕刻時(shí)PFC（Perfluorocompound）使用的數(shù)據(jù)指出，用C4F6來(lái)取代C4F8在氧化物之蝕刻上有相當(dāng)?shù)男阅芮铱蓽p少65％-82％PFC的排放，有關(guān)專家指出，到目前為止，C4F6可能是能提供所需蝕刻條件及減少排放的替代物。

照片1